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MLC(Multi-Level Cell)
MLC采用双层设计,即每1个单元同一时间存储2个bit的数据,成本、速率和容量得到了非常好的平衡。P/E(闪存颗粒存储次数)约3K~30K(例如Kingston E100系列采用eMLC颗粒,P/E为30K)。有4种存储状态,分别是00、01、10、11。
TLC(Triple Level Cell)
TLC从成本考虑,采用了三层设计,即每1个单元同一时间存储3位数据。其特点是存储密度高,相同存储空间的制造成本更低,但代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力。TLC芯片的P/E(闪存颗粒存储次数)约为500~1K,有8种存储状态,分别是000、001、010、100、011、101、110、111。
采用 MLC 的优势
TLC之所以比MLC寿命低,是因为TLC的存储状态更多,进行数据读写时对存储单元消耗更大。举例来讲,相同主控芯片情况下,使用主流的2xnm闪存芯片,拥有3K P/E的MLC芯片是500 P/E的TLC芯片寿命的6倍!随着芯片纳米制程的提高,闪存芯片的存储寿命也在降低,这样一来,为了保证SSD的使用寿命,更加有必要采用MLC芯片做为存储。
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